導師姓名

鄭安生

性別

男

出生年月

1962年5月

所在室所

稀土材料國家工程研究中心

技術職稱

教授級高級工程師

招生專業

材料科學與工程

聯系電話

13370118522

E-mail

zhas@grieom.com

研究方向

1. 半導體材料研究

2. 紅外光學材料研究

個人簡況

教授級高工，享受政府特殊津貼專家。1983年畢業于蘭州大學金屬物理專業，1988年畢業于蘭州大學材料學系固體物理專業，獲碩士學位，同年進入北京有色金屬研究總院工作。曾任國家半導體材料工程研究中心副主任，有研光電新材料有限責任公司總經理。

鄭安生長期從事化合物半導體材料的研究開發工作，是我國半導體材料專家，國家科學技術部技術審查專家。先后承擔國家863計劃、科技支撐計劃、國家高技術產業化示范工程項目10多項。在國內首家研制出Φ2”和Φ3” HB-GaAs晶片，并形成了大規模生產，成為世界最大的HB-GaAs晶片供應商。在國內首家研制出N型摻Te GaSb晶片和P型摻Zn GaSb晶片，為我國2-4um波段激光器和探測器的研發做出巨大貢獻。在國內首家研制出Φ2”、Φ2.5” GaP和InAs晶片，GaP晶片形成了大規模生產，成為世界第三大供應商。先后獲部級科研成果5項，授權專利8項，在國內外核心期刊上發表論文約40篇，專著和譯著各1部。獲部級科技進步一等獎1項，二等獎1項，三等獎3項。